Cymhwyso microsgopeg isgoch mewn dyfeisiau bach yn y diwydiant electroneg
Gyda datblygiad nanotechnoleg, mae ei ddull crebachu o'r brig i lawr wedi cael ei ddefnyddio'n gynyddol ym maes technoleg lled-ddargludyddion. Yn y gorffennol, rydym i gyd yn galw technoleg IC technoleg "microelectroneg", oherwydd maint y transistorau oedd yn y micron (10-6 metr) lefel. Fodd bynnag, mae technoleg lled-ddargludyddion yn datblygu'n gyflym iawn. Bob dwy flynedd, bydd yn symud cenhedlaeth ymlaen a bydd ei faint yn crebachu i hanner ei faint gwreiddiol. Dyma'r enwog Moore's Law. Tua 15 mlynedd yn ôl, dechreuodd lled-ddargludyddion fynd i mewn i'r cyfnod is-micron, sy'n llai na micron, ac yna aeth i'r cyfnod is-micron dwfn, sy'n llawer llai na micron. Erbyn 2001, roedd meintiau transistor hyd yn oed yn llai na 0.1 micron, neu lai na 100 nanometr. Dyma oes nanoelectroneg, a bydd y rhan fwyaf o ICs yn y dyfodol yn cael eu gwneud o nanotechnoleg.
gofyniad sgiliau:
Ar hyn o bryd, prif fethiant dyfeisiau electronig yw methiant thermol. Yn ôl yr ystadegau, mae 55% o fethiannau dyfeisiau electronig yn cael eu hachosi gan dymheredd uwch na'r gwerthoedd penodedig. Wrth i'r tymheredd gynyddu, mae cyfradd methiant dyfeisiau electronig yn cynyddu'n esbonyddol. Yn gyffredinol, mae dibynadwyedd gweithio cydrannau electronig yn hynod sensitif i dymheredd. Am bob cynnydd o 1 gradd yn nhymheredd y ddyfais uwchlaw 70-80 gradd, bydd y dibynadwyedd yn gostwng 5%. Felly, mae angen canfod tymheredd y ddyfais yn gyflym ac yn ddibynadwy. Wrth i faint dyfeisiau lled-ddargludyddion ddod yn llai ac yn llai, gosodir gofynion uwch ar ddatrysiad tymheredd a datrysiad gofodol offer canfod.
Sut i fesur dyfnder haen ymdreiddiad sinc gyda microsgop offer
Sut i fesur dyfnder yr haen sinc gan ddefnyddio microsgop offer:
1. Torrwch y sampl (mae'r sampl wedi'i ymdreiddio â sinc yn cael ei dorri ar hyd cyfeiriad fertigol yr echelin gyda pheiriant torri metallograffig i ddatgelu'r wyneb metel ffres, ac yna defnyddiwch beiriant mewnosod i fewnosod y sampl metel i mewn i bowdwr bakelite i wneud plastig sampl cyfansawdd metel (Sampl) Rhowch ef ar fainc waith y microsgop offer, trowch y ffynhonnell golau ymlaen, addaswch y ffynhonnell golau arwyneb, addaswch y ffocws a'r chwyddhad, fel bod delwedd glir yn ymddangos ar yr arddangosfa PC.
2. Cylchdroi nobiau cyfeiriad X ac Y y fainc waith fel bod croeslinell y cyrchwr yn cyfateb i bwynt critigol yr haen treiddiad metel, camwch ar y pedal i gael cyfesurynnau'r pwyntiau, a diffiniwch bob dau bwynt cydlynu a gafwyd fel a llinell syth, gan arwain at gyfanswm o 4 pwynt. ffurfio dwy linell syth,
3. Defnyddiwch y pellter rhwng swyddogaeth llinellau syth yn y meddalwedd i ddod o hyd i'r pellter rhwng dwy linell syth yn uniongyrchol, hynny yw, dyfnder yr haen wedi'i ymdreiddio â sinc. Mae defnyddio microsgop offer i fesur dyfnder yr haen wedi'i ymdreiddio â sinc yn reddfol. Ar yr un pryd, gall meddalwedd cysylltiedig y microsgop offer hefyd fesur dyfnder yr haen wedi'i ymdreiddio â sinc o samplau ansafonol eraill.
