Sut i Brofi A yw Transistor Effaith Maes-Yn Dda neu'n Ddrwg gydag Amlfesurydd
Oherwydd presenoldeb deuod dampio rhwng polion D-S MOSFETs a ddefnyddir yn gyffredin, gellir pennu perfformiad MOSFETs trwy ddefnyddio lefel deuod amlfesurydd digidol i ganfod cwymp foltedd y deuod rhwng y polion D-S. Mae'r dull canfod manwl fel a ganlyn.
Trowch switsh gêr y multimedr digidol i'r modd deuod, cysylltwch y stiliwr coch i'r polyn S a'r stiliwr du i'r polyn D. Ar yr adeg hon, bydd sgrin yr amlfesurydd yn dangos gwerth gostyngiad foltedd y deuod rhwng y polion D-S. Mae gwerth gostyngiad mewn foltedd y-maes pŵer{- uchel-transistorau effaith fel arfer rhwng 0.4 a 0.8V (tua 0.6V yn bennaf); Ni ddylai fod unrhyw ostyngiad foltedd rhwng y stiliwr du sydd wedi'i gysylltu â'r polyn S, y stiliwr coch wedi'i gysylltu â'r polyn D, a'r polyn G a phinnau eraill (er enghraifft, mewn maes sianel N-transistor effaith, dylai maes sianel effaith P fod â gostyngiad foltedd pan fydd y transistor probe coch wedi'i gysylltu â'r polyn D coch wedi'i gysylltu â'r polyn D coch. polyn). I'r gwrthwyneb, mae'n dangos bod y maes-transistor effaith wedi'i ddifrodi.
Mae transistorau effaith maes fel arfer yn cael eu difrodi gan chwalu, ac mae'r pinnau fel arfer mewn cyflwr cylched byr. Felly, dylai'r gostyngiad foltedd rhwng y pinnau fod yn OV hefyd. Ar ôl pob mesuriad o dransistor effaith maes MOS, codir swm bach o wefr ar gynhwysydd cyffordd G-S, gan sefydlu UGS foltedd. Wrth fesur eto, efallai na fydd y pinnau'n symud (os ydynt yn defnyddio multimedr digidol, bydd y gwall mesur yn fawr). Ar yr adeg hon, cylched byr y polion G-S yn fyr.
Mae difrod-transistorau effaith maes yn cael ei achosi fel arfer gan doriad a chylched byr. Ar yr adeg hon, gan fesur â multimedr, mae'r pinnau fel arfer yn rhyng-gysylltiedig. Ar ôl i'r transistor effaith maes gael ei ddifrodi, yn gyffredinol nid oes unrhyw ddifrod ymddangosiad amlwg. Ar gyfer transistorau effaith maes sydd wedi'u difrodi'n ddifrifol gorgyfredol, gall ffrwydro.
