Microsgopeg isgoch yn y diwydiant electroneg wrth gymhwyso dyfeisiau bach
I. Cyfeiriad y Cais: Microsgopeg Isgoch mewn Profi Tymheredd Dyfeisiau Lled-ddargludyddion Bach
II.Cyflwyniad Cefndir:
Gyda datblygiad nanotechnoleg, mae ei miniaturization o'r brig i lawr wedi cael ei ddefnyddio'n gynyddol ym maes technoleg lled-ddargludyddion. Yn y gorffennol, roeddem yn arfer galw technoleg "microelectroneg" technoleg IC, hynny yw oherwydd bod maint y transistorau yn y raddfa micron (10-6 metr). Fodd bynnag, mae technoleg lled-ddargludyddion yn datblygu mor gyflym fel ei bod yn symud ymlaen o un genhedlaeth bob dwy flynedd ac yn crebachu i hanner ei maint gwreiddiol, a elwir yn Gyfraith Moore. Tua 15 mlynedd yn ôl, dechreuodd lled-ddargludyddion fynd i mewn i'r cyfnod is-micron, neu lai-na-micron, ac yna'r cyfnod is-micron dwfn, neu gyfnod llawer llai na micron. Erbyn 2001, roedd transistorau hyd yn oed yn llai na 0.1 micron, neu lai na 100 nanometr. Felly, mae'n gyfnod nanoelectroneg, a bydd y rhan fwyaf o'r ICs yn y dyfodol yn cael eu gwneud gan nanotechnoleg.
Yn drydydd, y gofynion technegol:
Ar hyn o bryd, y prif fath o fethiant dyfais electronig yw methiant thermol. Yn ôl yr ystadegau, mae 55% o fethiant dyfeisiau electronig yn cael ei achosi gan y tymheredd yn uwch na'r gwerth penodedig, a chyda'r cynnydd mewn tymheredd, mae cyfradd methiant dyfeisiau electronig yn cynyddu'n esbonyddol. A siarad yn gyffredinol, mae dibynadwyedd gweithio cydrannau electronig yn hynod sensitif i dymheredd, tymheredd y ddyfais yn y 70-80 lefel gradd o bob cynnydd 1 gradd, bydd y dibynadwyedd yn gostwng 5%. Felly, mae angen canfod tymheredd dyfeisiau yn gyflym ac yn ddibynadwy. Gan fod maint dyfeisiau lled-ddargludyddion yn mynd yn llai ac yn llai, mae datrysiad tymheredd a datrysiad gofodol yr offer canfod yn cyflwyno gofynion uwch.
Yn bedwerydd, map thermol saethu'r safle (lleoliad: Sefydliad ymchwil adnabyddus Model: INNOMETE SI330)
