Sgiliau Transistor Mesur Amlfesurydd
Fel arfer mae angen i ni ddefnyddio ffeil R × 1kΩ, ni waeth a yw'n diwb NPN neu diwb PNP, ni waeth ei fod yn bŵer isel, effeithlonrwydd uchel, tiwb pŵer uchel, dylai'r gyffordd a'r gyffordd cb ddangos yn union yr un dargludedd uncyfeiriad â'r deuod wrth ei fesur. Mae'r gwrthiant ymlaen yn anfeidrol, ac mae ei wrthwynebiad ymlaen tua 10K. Er mwyn amcangyfrif ymhellach ansawdd nodweddion y tiwb, os oes angen, dylid newid y gêr gwrthiant ar gyfer mesuriadau lluosog. Y dull yw: gosod y ffeil R×10Ω i fesur ymwrthedd dargludiad ymlaen y gyffordd PN tua 200Ω; gosodwch y ffeil R×1Ω i fesur Mae gwrthiant dargludiad ymlaen y gyffordd PN tua 30Ω, (yr uchod yw'r data a fesurir gan y mesurydd math 47-, mae'n debyg bod modelau eraill ychydig yn wahanol, gallwch chi brofi ychydig mwy tiwbiau da i'w crynhoi, fel eich bod chi'n gwybod beth rydych chi'n ei wybod) Os yw'r darlleniad yn rhy fawr Os oes gormod, gellir dod i'r casgliad nad yw nodweddion y bibell yn dda. Gallwch hefyd roi'r mesurydd ar R×10kΩ a'i fesur eto. Ar gyfer tiwbiau â foltedd withstand is (yn y bôn, mae foltedd withstand y triode yn uwch na 30V), dylai gwrthiant gwrthdroi'r gyffordd cb hefyd fod yn ∞, ond mae ymwrthedd gwrthdro'r gyffordd Efallai y bydd rhai, a dwylo'r bydd gwylio yn gwyro ychydig (yn gyffredinol dim mwy na 1/3 o'r raddfa lawn, yn dibynnu ar wrthwynebiad pwysau'r tiwb). Yn yr un modd, wrth ddefnyddio'r ffeil R × 10kΩ i fesur y gwrthiant rhwng ec (ar gyfer tiwb NPN) neu ce (ar gyfer tiwb PNP), efallai y bydd y nodwydd yn cael ei gwyro ychydig, ond nid yw hyn yn golygu bod y tiwb yn ddrwg. Fodd bynnag, wrth fesur y gwrthiant rhwng ce neu ec gyda ffeil o dan R×1kΩ, dylai arwydd pen y mesurydd fod yn anfeidrol, fel arall mae problem gyda'r tiwb. Dylid nodi bod y mesuriadau uchod ar gyfer tiwbiau silicon, nid ar gyfer tiwbiau germaniwm. Ond mae tiwbiau germaniwm yn brin nawr. Yn ogystal, mae'r "cefn" fel y'i gelwir ar gyfer y gyffordd PN, ac mae cyfarwyddiadau'r tiwb NPN a'r tiwb PNP yn wahanol mewn gwirionedd.
