Amlfesurydd - Dewis o Transistorau Lled-ddargludyddion
Rhaid i'r dewis o transistorau gydymffurfio'n gyntaf â gofynion offer a chylchedau, ac yn ail, gydymffurfio ag egwyddor economi. Yn dibynnu ar y cais, dylid ystyried y ffactorau canlynol yn gyffredinol: amlder gweithredu, cerrynt casglwr, pŵer gwasgaredig, ffactor chwyddo cerrynt, foltedd dadansoddiad gwrthdro, sefydlogrwydd a gostyngiad mewn foltedd dirlawnder, ac ati. Mae gan y ffactorau hyn berthynas sy'n cyfyngu ar ei gilydd. Yn ystod yr etholiad a rheolaeth, dylem ddeall y prif wrthddywediadau ac ystyried y ffactorau eilaidd.
Yn gyffredinol, mae fT amlder nodweddiadol tiwbiau amledd isel yn is na 2.5MHz, tra bod fT tiwbiau amledd uchel yn amrywio o ddegau o MHz i gannoedd o MHz neu hyd yn oed yn uwch. Wrth ddewis rheolaeth, dylai fT fod 3 i 10 gwaith yr amlder gweithredu. Mewn egwyddor, gall tiwbiau amledd uchel ddisodli tiwbiau amledd isel, ond yn gyffredinol mae pŵer tiwbiau amledd uchel yn gymharol fach ac mae'r ystod ddeinamig yn gul. Rhowch sylw i'r amodau pŵer wrth ailosod.
Yn gyffredinol, rydym yn gobeithio y dylai fod yn fwy, ond nid yw mwy bob amser yn well. Os yw'n rhy uchel, bydd yn hawdd achosi osciliad hunan-gyffrous, heb sôn am fod tiwbiau ag uchel yn gyffredinol yn ansefydlog ac yn cael eu heffeithio'n fawr gan dymheredd. Fel arfer, mae'r gwerth rhwng 40 a 100, ond ar gyfer tiwbiau â sŵn isel a gwerth uchel (fel 1815, 9011 ~ 9015, ac ati), mae'r sefydlogrwydd tymheredd yn dal i fod yn dda pan fydd y gwerth yn cyrraedd cannoedd. Yn ogystal, ar gyfer y gylched gyfan, dylid eu dewis o'r cydgysylltu pob lefel. Er enghraifft, os yw'r cam blaen yn defnyddio tiwb beta uchel, gall y cam cefn ddefnyddio tiwb beta isel; i'r gwrthwyneb, os yw'r cam blaen yn defnyddio tiwb beta isel, gall y cam cefn ddefnyddio tiwb beta uchel.
Dylid dewis foltedd dadelfennu gwrthdro'r casglwr-allyrrydd UCEO i fod yn fwy na'r foltedd cyflenwad. Po leiaf yw'r cerrynt treiddio, y gorau yw'r sefydlogrwydd yn erbyn tymheredd. Mae sefydlogrwydd tiwbiau silicon cyffredin yn llawer gwell na thiwbiau germaniwm, ond mae gostyngiad mewn foltedd dirlawnder tiwbiau silicon cyffredin yn fwy na thiwbiau germaniwm, a fydd yn effeithio ar berfformiad y gylched mewn rhai cylchedau. Dylid ei ddewis yn ôl amodau penodol y gylched a defnydd y transistor. Wrth wasgaru pŵer, dylid gadael ymyl penodol yn unol â gofynion gwahanol gylchedau.
Ar gyfer transistorau a ddefnyddir mewn cylchedau fel ymhelaethu amledd uchel, ymhelaethu amledd canolradd, ac osgiliaduron, dylid dewis transistorau â fT amledd nodweddiadol uchel a chynhwysedd rhyng-electrod bach i sicrhau cynnydd pŵer uchel a sefydlogrwydd ar amleddau uchel.
