Technegau a Dulliau ar gyfer Mesur Transistorau ag Amlfesurydd
Gwahaniaethu ar electrodau transistor a mathau o diwb
(1) Dull arolygu gweledol
① Adnabod y math o bibell
Yn gyffredinol, p'un a yw'r math o bibell yn NPN neu PNP dylid ei wahaniaethu gan y model sydd wedi'i farcio ar y gragen bibell. Yn ôl safonau gweinidogol, mae ail ddigid (llythyren) y model transistor, A ac C yn cynrychioli tiwbiau PNP, mae B a D yn cynrychioli tiwbiau NPN, er enghraifft:
Mae 3AX yn transistor pŵer isel amledd isel math PNP, ac mae 3BX yn transistor pŵer isel amledd isel math NPN
Mae 3CG yn transistor pŵer isel amledd uchel math PNP, ac mae 3DG yn transistor pŵer isel amledd uchel math NPN
Mae 3AD yn transistor pŵer uchel amledd isel math PNP, ac mae 3DD yn transistor pŵer uchel amledd isel math NPN
Mae 3CA yn transistor pŵer uchel amledd uchel math PNP, ac mae 3DA yn transistor pŵer uchel amledd uchel math NPN
Yn ogystal, mae yna diwbiau pŵer isel amledd uchel cyfres 9011-9018 sy'n boblogaidd yn rhyngwladol, ac eithrio tiwbiau PNP ar gyfer 9012 a 9015, ac mae pob un ohonynt yn diwbiau math NPN.
② Gwahaniaethu ar Bolion Tiwb
Mae gan transistorau pŵer bach a chanolig a ddefnyddir yn gyffredin gregyn crwn metel a phecynnu plastig (lled-silindraidd). Mae Ffigur T305 yn cyflwyno tri siâp nodweddiadol a dulliau trefniant electrod.
(2) Defnyddio multimedr i bennu'r ystod gwrthiant
Mae dwy gyffordd PN y tu mewn i'r transistor, y gellir eu defnyddio i wahaniaethu rhwng y tri phegwn e, b, ac c gan ddefnyddio ystod gwrthiant multimeter. Yn achos labelu model niwlog, gellir defnyddio'r dull hwn hefyd i wahaniaethu rhwng y math o bibell.
① Gwahaniaethu ar sail sylfaen
Wrth wahaniaethu rhwng yr electrod transistor, dylid cadarnhau'r electrod sylfaen yn gyntaf. Ar gyfer tiwbiau NPN, cysylltwch plwm du â'r sylfaen dybiedig a thennyn coch i'r ddau begwn arall. Os yw'r gwrthiant mesuredig yn fach, mae tua ychydig gannoedd i sawl mil o ohms; Pan fydd y stilwyr du a choch yn cael eu cyfnewid, mae'r gwrthiant mesuredig yn gymharol uchel, sy'n fwy na rhai cannoedd o kiloohms. Ar y pwynt hwn, mae'r stiliwr du wedi'i gysylltu â'r electrod sylfaen. Tiwb PNP, mae'r sefyllfa gyferbyn. Wrth fesur, pan fydd y ddwy gyffordd PN â thuedd gadarnhaol, mae'r stiliwr coch wedi'i gysylltu â'r electrod sylfaen.
Mewn gwirionedd, mae gwaelod transistorau pŵer isel wedi'i drefnu'n gyffredinol yng nghanol tri phin. Gellir defnyddio'r dull uchod i gysylltu'r stilwyr du a choch â'r sylfaen yn y drefn honno, a all nid yn unig benderfynu a yw dwy gyffordd PN y transistor yn gyfan (yn debyg i'r dull mesur ar gyfer cyffyrdd PN deuod), ond hefyd yn cadarnhau'r tiwb math.
② Gwahaniaethu rhwng casglwr ac allyrrwr
Ar ôl pennu'r electrod sylfaen, tybiwch mai un o'r pinnau sy'n weddill yw'r electrod casglwr c a'r llall yw'r electrod emitter. Defnyddiwch eich bysedd i binsio'r electrodau c a b yn y drefn honno (hy, defnyddiwch eich bysedd i ddisodli'r gwrthiant sylfaen Rb). Ar yr un pryd, cysylltwch â dau stiliwr y multimedr gyda c ac e yn y drefn honno. Os mai NPN yw'r tiwb sy'n cael ei brofi, defnyddiwch stiliwr du i gysylltu â'r polyn c a stiliwr coch i gysylltu'r polyn e (gyferbyn â'r tiwb PNP), ac arsylwi ongl gwyro'r pwyntydd; Yna gosodwch y pin arall fel y polyn c, ailadroddwch y broses uchod, a chymharwch ongl gwyro'r pwyntydd a fesurwyd ddwywaith. Mae'r un mwyaf yn nodi bod yr IC yn fawr, ac mae'r tiwb mewn cyflwr mwy. Mae'r tybiaethau cyfatebol ar gyfer y pegynau c ac e yn gywir.
2. Mesur perfformiad transistor yn syml
(1) Mesur ICEO a
Mae'r electrod sylfaen yn agored, ac mae plwm du y multimedr wedi'i gysylltu â chasglwr c y tiwb NPN, tra bod y plwm coch wedi'i gysylltu â'r emitter e (gyferbyn â'r tiwb PNP). Ar yr adeg hon, mae gwerth gwrthiant uchel rhwng c ac e yn dynodi ICEO isel, tra bod gwerth gwrthiant isel yn dynodi ICEO uchel.
Amnewidiwch y gwrthiant sylfaen Rb gyda'ch bys a mesurwch y gwrthiant rhwng c ac e gan ddefnyddio'r dull uchod. Os yw'r gwerth gwrthiant yn llawer llai na phan fydd y sylfaen ar agor, mae'n nodi bod Gwerth Uchel.
(2) Defnyddiwch amlfesurydd i fesur yr ystod hFE
Mae gan rai multimeters ystod hFE, a gellir mesur y ffactor mwyhau cyfredol trwy fewnosod transistor yn ôl y polaredd penodedig ar y mesurydd, os yw'n fach iawn neu'n sero, mae'n nodi bod y transistor wedi'i niweidio. Gellir mesur dwy gyffordd PN gan ddefnyddio ystod gwrthiant i gadarnhau a oes chwalfa neu gylched agored.
3. Dewis triawdau lled-ddargludyddion
Dylai'r dewis o transistorau fodloni gofynion offer a chylchedau yn gyntaf, ac yn ail gydymffurfio ag egwyddor cadwraeth. Yn ôl gwahanol ddibenion, dylid ystyried y ffactorau canlynol yn gyffredinol: amlder gweithredu, cerrynt casglwr, pŵer gwasgaredig, cyfernod chwyddo cerrynt, foltedd dadansoddiad gwrthdro, sefydlogrwydd, a gostyngiad mewn foltedd dirlawnder. Mae gan y ffactorau hyn berthynas sy'n cyfyngu ar ei gilydd, ac wrth ddewis rheolaeth, dylid deall y prif wrth-ddweud wrth ystyried ffactorau eilaidd.
Yn gyffredinol, mae fT amlder nodweddiadol tiwbiau amledd isel yn is na 2.5MHz, tra bod fT tiwbiau amledd uchel yn amrywio o ddegau o MHz i gannoedd o MHz neu hyd yn oed yn uwch. Wrth ddewis pibellau, dylai fT fod 3-10 gwaith yr amledd gweithio. Mewn egwyddor, gall tiwbiau amledd uchel ddisodli tiwbiau amledd isel, ond yn gyffredinol mae pŵer tiwbiau amledd uchel yn gymharol fach ac mae'r ystod ddeinamig yn gul. Wrth ailosod, dylid rhoi sylw i amodau pŵer.
Gobaith cyffredinol Dewiswch faint mwy, ond nid yw o reidrwydd yn well. Gall rhy uchel achosi osciliad hunan-gyffrous yn hawdd, heb sôn am gyfartaledd Mae gweithrediad pibellau uchel yn aml yn ansefydlog ac yn cael ei effeithio'n fawr gan dymheredd. fel arfer Dewisiadau lluosog rhwng 40 a 100, ond gyda sŵn isel a sŵn uchel Gwerth pibellau (fel 1815, 9011-9015, ac ati), Mae sefydlogrwydd tymheredd yn dal yn dda pan fydd y gwerth yn cyrraedd rhai cannoedd. Yn ogystal, ar gyfer y gylched gyfan, dylai'r dewis hefyd fod yn seiliedig ar gydlyniad pob lefel. Er enghraifft, ar gyfer y cam blaenorol Uchel, gellir defnyddio'r lefel olaf Pibellau Is; I'r gwrthwyneb, mae'r lefel flaenorol yn defnyddio Gellir defnyddio lefel is ar gyfer camau diweddarach Pibellau uwch.
Dylid dewis foltedd dadansoddiad gwrthdro UCEO yr allyrrydd casglwr i fod yn fwy na foltedd y cyflenwad pŵer. Po leiaf yw'r cerrynt treiddio, y gorau yw sefydlogrwydd y tymheredd. Mae sefydlogrwydd tiwbiau silicon cyffredin yn llawer gwell na thiwbiau germaniwm, ond mae gostyngiad mewn foltedd dirlawnder tiwbiau silicon cyffredin yn fwy na thiwbiau germaniwm, a all effeithio ar berfformiad cylchedau penodol. Dylid ei ddewis yn ôl sefyllfa benodol y gylched. Wrth ddewis pŵer dissipative transistorau, dylid gadael ymyl penodol yn unol â gofynion gwahanol gylchedau.
Ar gyfer transistorau a ddefnyddir mewn ymhelaethu amledd uchel, ymhelaethu amledd canolraddol, osgiliaduron, a chylchedau eraill, dylid dewis transistorau â fT amledd nodweddiadol uchel a chynhwysedd rhyngbolion bach i sicrhau cynnydd pŵer uchel a sefydlogrwydd hyd yn oed ar amleddau uchel.
