Cymhwyso Microsgop Isgoch mewn Dyfeisiau Micro yn y Diwydiant Electroneg
1. Cyfeiriad y cais: rôl microsgop isgoch wrth brofi tymheredd dyfeisiau lled-ddargludyddion bach
2. Cyflwyniad cefndir:
Gyda datblygiad nanotechnoleg, mae ei ddull miniaturization o'r brig i lawr wedi'i gymhwyso fwyfwy ym maes technoleg lled-ddargludyddion. Roeddem yn arfer galw technoleg "microelectroneg" technoleg IC, oherwydd bod maint y transistorau ar y lefel micron (10-6 metr). Fodd bynnag, mae technoleg lled-ddargludyddion yn datblygu'n gyflym iawn. Bob dwy flynedd, bydd cenhedlaeth yn cael ei wella, a bydd y maint yn cael ei leihau i hanner y maint gwreiddiol. Dyma'r enwog Moore's Law. Tua 15 mlynedd yn ôl, dechreuodd lled-ddargludyddion fynd i mewn i'r oes is-micron, sy'n llai na'r cyfnod micron, ac yna aeth yn ddyfnach i'r oes is-micron, a oedd yn llawer llai na'r cyfnod micron. Erbyn 2001, roedd y transistorau hyd yn oed yn llai na 0.1 micron, neu 100 nanometr. Felly, mae'n oes nanoelectroneg, a bydd y rhan fwyaf o ICs yn y dyfodol yn cael eu gwneud o nanodechnoleg.
3. Gofynion technegol:
Ar hyn o bryd, prif ddull methiant dyfeisiau electronig yw methiant thermol. Yn ôl yr ystadegau, mae 55 y cant o fethiannau dyfeisiau electronig yn cael eu hachosi gan y tymheredd yn uwch na'r gwerth penodedig. Wrth i'r tymheredd gynyddu, mae cyfradd methiant dyfeisiau electronig yn cynyddu'n esbonyddol. Yn gyffredinol, mae dibynadwyedd gweithio cydrannau electronig yn hynod sensitif i dymheredd, a bydd y dibynadwyedd yn gostwng 5 y cant bob tro y bydd tymheredd y ddyfais yn cynyddu 1 gradd ar lefel 70-80 gradd. Felly, mae angen canfod tymheredd y ddyfais yn gyflym ac yn ddibynadwy. Wrth i faint dyfeisiau lled-ddargludyddion ddod yn llai ac yn llai, gosodir gofynion uwch ar ddatrysiad tymheredd a datrysiad gofodol offer canfod.
4. Map gwres saethu ar y safle
