Dadansoddiad egwyddor o gyfres adborth negyddol cyflenwad pŵer rheoledig
Mae'r diagram cylched o gylched sefydlogi foltedd adborth negyddol cyfres, lle T1 yw'r transistor addasu, D1 a R2 yn ffurfio'r foltedd cyfeirio, T2 yw'r mwyhadur cymhariaeth, R3-R5 yw'r cylched samplu, a R6 yw'r llwyth . Gan dybio bod foltedd allbwn UO yn gostwng am ryw reswm, mae foltedd sylfaen T2 (UT2) O yn gostwng yn gyfrannol trwy'r gylched samplu o R3 i R5. Gan fod y foltedd allyrrydd T2 (UT2) E yn cael ei reoli gan werth sefydlogi foltedd y rheolydd D1, bydd foltedd cyffordd yr allyrrydd T2 (UT2) BE yn gostwng, gan arwain at ostyngiad mewn cerrynt sylfaen T2 (IT2) B, gostyngiad yn T2 cerrynt allyrrydd (IT2) E, a chynnydd mewn gostyngiad foltedd transistor T2 (UT2) CE, Achosi cynnydd mewn foltedd allyrrydd (UT2) C, hy bydd addasu'r foltedd sylfaen (UT1) B o transistor T1 yn cynyddu, tra bydd y gostyngiad foltedd (UT1) Bydd CE o transistor T1 yn gostwng, gan achosi mwy o foltedd mewnbwn UI i'w gymhwyso i'r llwyth, gan arwain at gynnydd mewn foltedd allbwn UO. Gellir cynrychioli'r broses addasu hon gan y berthynas newid ganlynol:
UO ↓ → (UT2) O ↓ → UD1 cyson → (UT2) BE ↓ → (IT2) B ↓ → (IT2) E ↓ → (UT2) CE ↑
→ (UT2) C ↑ → (UT1) B ↑ → (UT1) CE ↓ → UO ↑
Pan fydd y foltedd allbwn yn cynyddu, mae'r broses gyfan o newid yn hollol groes i'r uchod, felly ni fyddwn yn ei ailadrodd yma, ond yn syml yn defnyddio'r diagram canlynol i'w gynrychioli:
UO ↑ → (UT2) O ↑ → UD1 cyson → (UT2) BE ↑ → (IT2) B ↑ → (IT2) E ↑ → (UT2) CE ↓
(UT2) C ↓ → (UT1) B ↓ → (UT1) CE ↑ → UO ↓
Yn debyg i gyflenwad pŵer rheoledig cyfres syml, pan fydd amodau eraill megis UI foltedd mewnbwn neu lwyth yn digwydd, bydd yn achosi newidiadau cyfatebol mewn foltedd allbwn UO. Yn y pen draw, gellir defnyddio'r broses ddadansoddi uchod i egluro ei egwyddor weithredol.
Yn y broses rheoli sefydlogi foltedd gyfan o gyflenwad pŵer adborth negyddol y gyfres, oherwydd ychwanegu cylched ymhelaethu cymharol T2, mae'r newid yn y foltedd allbwn UO yn cael ei chwyddo gan T2 cyn rheoli ac addasu sylfaen y transistor T1, sy'n gwella'r foltedd perfformiad sefydlogi'r gylched. T2 Po fwyaf yw'r gwerth, y gorau yw sefydlogrwydd y foltedd allbwn.
