Cymhwyso microsgopau isgoch mewn dyfeisiau micro yn y diwydiant electroneg
Gyda datblygiad nanotechnoleg, mae ei dull miniatureiddio o'r brig i lawr yn cael ei gymhwyso'n gynyddol ym maes technoleg lled-ddargludyddion. Roeddem yn arfer galw technoleg IC yn "microelectroneg" oherwydd bod maint y transistorau yn yr ystod micromedr (10-6 metr). Ond mae technoleg lled-ddargludyddion yn datblygu'n gyflym iawn, gan symud ymlaen o genhedlaeth bob dwy flynedd, a bydd y maint yn crebachu i hanner ei faint gwreiddiol, sef y Gyfraith Moore enwog. Tua 15 mlynedd yn ôl, dechreuodd lled-ddargludyddion fynd i mewn i'r oes is-micron, sy'n llai na micromedrau, ac yna cyfnod is-micron dyfnach, llawer llai na micromedrau. Erbyn 2001, roedd maint y transistorau hyd yn oed wedi gostwng i lai na 0.1 micromedr, sy'n llai na 100 nanometr. Felly, yn oes nanoelectroneg, bydd y rhan fwyaf o'r ICs yn y dyfodol yn cael eu gwneud gan ddefnyddio nanotechnoleg.
Gofynion technegol:
Ar hyn o bryd, y prif fath o fethiant dyfais electronig yw methiant thermol. Yn ôl yr ystadegau, mae 55% o fethiannau dyfeisiau electronig yn cael eu hachosi gan dymheredd uwch na'r gwerth penodedig, ac mae cyfradd methiant dyfeisiau electronig yn cynyddu'n esbonyddol gyda thymheredd cynyddol. Yn gyffredinol, mae dibynadwyedd gweithredol cydrannau electronig yn sensitif iawn i dymheredd, gyda gostyngiad o 5% mewn dibynadwyedd ar gyfer pob cynnydd o 1 gradd yn nhymheredd y ddyfais rhwng 70-80 gradd Celsius. Felly, mae angen canfod tymheredd y ddyfais yn gyflym ac yn ddibynadwy. Oherwydd maint cynyddol llai dyfeisiau lled-ddargludyddion, mae gofynion uwch wedi'u gosod ar ddatrysiad tymheredd a datrysiad gofodol offer canfod.
